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罗姆开发出全球导通电阻最小的功率MOSFET样品


 罗姆公司(ROHM)日前开发出了采用导通电阻降至约为原来一半的SiC的功率MOSFET。将于2006年内供应工业样品。耐电压900V,导通电阻为3.1mΩ·cm2。在SiC MOSFET中,导通电阻为全球最小,只有耐电压相同、采用硅的DMOS的约1/80或IGBT的约1/6。主要面向工业设备及混合动力车的马达驱动电路及电源电路等。罗姆于2004 年12月发布的试制品为导通电阻7.15mΩ、耐压1000V。该公司表示,将一边观察市场对工业样品的反应链条输送,一边探讨量产时间振动喂料机以及立式复合破碎机设立生产线的投资规模等。

   此次为降低导通电阻而进行链式提升机的改进主要有2点。一是减小了芯片上集成的多个功率MOSFET单元的体积。单元面积从原来的16μm×16μm减小到了10μm×10μm。另一点是采用了可将沟道载流子迁移率提高至原来3倍~4倍的栅极绝缘膜形密封锤式破碎机成工艺破碎机。

&nbs制沙设备p破碎机输送机;  试制品的芯片尺寸为螺旋式输送机0.9mm×0.9mm。该公司介绍,通过将导通电阻大约降至原来的一半,成功地将芯片面积减小到了1/3~1/2左右。

&nbZPS直排筛直线震动筛s齿辊破碎机p;

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